在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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XC7A12T-1CPG238C | XILINX/赛灵思 | 0 | 1 | 中国内地:14-17工作日 中国香港:12-15工作日 |
查看价格 |
规格参数 | |
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供应商器件封装 | 236-CSBGA(10x10) |
LAB/CLB 数 | 1000 |
总 RAM 位数 | 737280 |
封装/外壳 | 238-LFBGA,CSPBGA |
湿气敏感性等级(MSL) | 3(168 小时) |
零件状态 | 有源 |
I/O 数 | 106 |
工作温度 | 0°C ~ 85°C(TJ) |
电压 - 电源 | 0.95V ~ 1.05V |
逻辑元件/单元数 | 12800 |
系列 | Artix-7 |
安装类型 | 表面贴装型 |
合规 | 0 |
芯片安装 | 表面安装 |
工作温度最高值 | 85°C |
工作温度最小值 | 0°C |
IC 外壳 / 封装 | CSBGA |
FPGA类型 | 基于 SRAM 的 FPGA |
速度等级 | 1 |
处理技术 | 28nm (HKMG) |
针脚数 | 238引脚 |
逻辑单元数量 | 12800Logic Cells |
用户I/O数量 | 112输入 |
产品范围 | Artix-7 XC7A12T |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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IMX9T110 | 罗姆(ROHM) | 120000 | 0.397560 |
74LVC1G3157GW | NEXPERIA | 22657 | 0.226320 |
78B08T | GRAYHILL | 8048 | 10.856245 |
10075025-G01-14ULF | AMPHENOL FCI | 3512 | 7.879124 |
43650-0510 | MOLEX | 2646 | 15.421266 |
SKY13416-485LF | SKYWORKS | 1289 | 3.375120 |
74HC541PW | NEXPERIA | 166 | 1.628400 |
VIPER12ASTR-E | STMICROELECTRONICS | 100 | 4.074252 |
SZ1SMB24AT3G | LITTELFUSE | 7 | 2.410800 |
MKL16Z128VFT4 | FREESCALE | 1 | 28.224000 |