在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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XC7K160T-2FBG484C | XILINX/赛灵思 | 140 | 1 | 中国内地:1-2工作日 |
查看价格 |
规格参数 | |
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供应商器件封装 | 484-FCBGA(23x23) |
LAB/CLB 数 | 12675 |
总 RAM 位数 | 11980800 |
封装/外壳 | 484-BBGA,FCBGA |
湿气敏感性等级(MSL) | 4(72 小时) |
零件状态 | 有源 |
基本零件编号 | XC7K160 |
I/O 数 | 285 |
工作温度 | 0°C ~ 85°C(TJ) |
电压 - 电源 | 0.97V ~ 1.03V |
逻辑元件/单元数 | 162240 |
系列 | Kintex®-7 |
在线目录 | Kintex™ -7 |
安装类型 | 表面贴装型 |
MSL | - |
合规 | 0 |
芯片安装 | 表面安装 |
工作温度最高值 | 85°C |
工作温度最小值 | 0°C |
IC 外壳 / 封装 | FCBGA |
产品范围 | Kintex-7 XC7K160T |
FPGA类型 | - |
速度等级 | 2 |
处理技术 | 28nm (HKMG) |
逻辑单元数量 | 162240Logic Cells |
针脚数 | 484引脚 |
用户I/O数量 | 185输入 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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DPX165850DT-8117A1 | TDK(东电化) | 68000 | 0.477108 |
HCTF21601 | AMPHENOL | 8345 | 1.369625 |
HCTF12001 | AMPHENOL | 7411 | 1.470000 |
AC-CP000382 | AMPHENOL | 5115 | 0.232044 |
ADE-12MH+ | MINI-CIRCUITS | 39 | 91.910280 |
ADE-12+ | MINI-CIRCUITS | 17 | 40.748400 |
TQP3M9038 | TRIQUINT | 12 | 28.562760 |
TCM1-83X+ | MINI-CIRCUITS | 3 | 57.036000 |
KAT-3+ | MINI-CIRCUITS | 1 | 66.912048 |
ADE-2+ | MINI-CIRCUITS | 1 | 45.864000 |