在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
        
        | 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 | 
|---|---|---|---|---|---|---|
| Z0853606PSG | ZILOG | 0 | 130 | 中国内地:14-17工作日  中国香港:12-15工作日  | 
                         查看价格 | 
| 规格参数 | |
|---|---|
| 供应商器件封装 | 40-PDIP | 
| 频率 | 6MHz | 
| 封装/外壳 | 40-DIP(0.620",15.75mm) | 
| 类型 | 计数器/计时器电路(CTC) | 
| 湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) | 
| 零件状态 | 有源 | 
| 基本零件编号 | Z08536 | 
| 电流 - 电源 | 200mA | 
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C | 
| 电压 - 电源 | 4.75V ~ 5.25V | 
| 安装类型 | 通孔 | 
| 包装 | 管件 | 
| 封装 | PDIP-40 | 
| 类型 | Z-CIO and CIO and Parallel I/O Unit | 
| 系列 | Z08536 | 
| 最小工作温度 | 0 C | 
| 最大工作温度 | + 70 C | 
| 包装 | Tube | 
                            在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
                            超盈智能科技蛰伏存储行业13年,专注于产品封测和嵌入式存储解决方案,强劲的产品筛选能力对产品的来料有着严格的把控,产品稳定性得到高度保证。
                            根据最新数据显示,今年美国在芯片制造上的投资支出已经超过了过去27年的总和。
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                            据知情人士透露,美国官员已放缓向英伟达和AMD等芯片制造商发放许可证,允许其向中东大规模运送人工智能(AI)加速器,同时官员们对该地区AI发展进行国家安全审查。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 | 
|---|---|---|---|
| 74AHC1G125GW,125 | NEXPERIA | 18997 | 0.239120 | 
| 74HCT595D,118 | 安世(NEXPERIA) | 17695 | 1.663250 | 
| 74AVC4T245PW | NEXPERIA | 11309 | 3.037320 | 
| 74HC4050D | NEXPERIA | 6616 | 1.080920 | 
| 74LVC2G04GV,125 | NEXPERIA | 5301 | 0.486375 | 
| 74LVC2G34GV,125 | 安世(NEXPERIA) | 2842 | 1.224250 | 
| 74LVC1G08GW-Q100,1 | NEXPERIA | 1924 | 0.362625 | 
| 74HC4094PW,118 | NEXPERIA | 1399 | 1.144023 | 
| 74AHCT541PW | NEXPERIA | 874 | 1.046760 | 
| 74AHC1G08GV | NEXPERIA | 514 | 0.175890 |