在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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规格参数 | |
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安装方式 | Surface Mount |
封装类型 | SOIC-18 |
Family Name | Z8 |
Operating Temperature | 0°C to 70°C |
Program Memory Type | EPROM |
Core Processor | Z8 |
RAM Size | 125B |
No of I/O Lines | 14 |
Speed | 12MHz |
Supply Voltage | 4.5V to 5.5V |
Peripherals | Analog Comparators/Watchdog |
Watchdog Timers | 1 |
Number Of Timers | 2 |
电压 - 电源(Vcc/Vdd) | 4.5V ~ 5.5V |
外设 | POR,WDT |
速度 | 12MHz |
程序存储容量 | 1KB(1K x 8) |
RAM 容量 | 125 x 8 |
封装/外壳 | 18-SOIC(0.295",7.50mm 宽) |
湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) |
零件状态 | 有源 |
基本零件编号 | Z86E04 |
I/O 数 | 14 |
工作温度 | 0°C ~ 70°C(TA) |
振荡器类型 | 内部 |
程序存储器类型 | OTP |
系列 | Z8® |
核心处理器 | Z8 |
在线目录 | Z8® |
核心尺寸 | 8 位 |
安装类型 | 表面贴装型 |
包装 | 管件 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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IMX9T110 | 罗姆(ROHM) | 120000 | 0.397560 |
74LVC1G3157GW | NEXPERIA | 22657 | 0.226320 |
78B08T | GRAYHILL | 8048 | 10.856245 |
STW63N65DM2 | STM | 6000 | 21.018614 |
VIPER12ASTR-E | STM | 5000 | 2.010476 |
10075025-G01-14ULF | AMPHENOL FCI | 3512 | 7.879124 |
43650-0510 | MOLEX | 2646 | 15.421266 |
STI6N95K5 | STM | 950 | 6.976287 |
74HC541PW | NEXPERIA | 166 | 1.628400 |
MKL16Z128VFT4 | FREESCALE | 1 | 28.224000 |