在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| ZL88701LDG1 | MICROCHIP/微芯 | ZL880 2FXS 100V Tracking | 0 | 1000 | 中国内地：8-12工作日 |
查看价格 |
| 规格参数 | |
|---|---|
| 功能 | 电信电路 |
| 供应商器件封装 | 64-QFN（9x9） |
| 接口 | PCM |
| 封装/外壳 | 64-VFQFN 裸露焊盘 |
| 湿气敏感性等级（MSL） | 3（168 小时） |
| 零件状态 | 在售 |
| 电路数 | 1 |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 电压 - 电源 | 3.135V ~ 3.465V |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 包装 | 托盘 |
| 包装 | Tray |
| Part Life Cycle Code | NotRecommended |
| Supply Voltage-Nom | 3.3V |
| Noise-Max | 19dBrnC |
| Telecom IC Type | SLIC |
| Additional Feature | SEATEDHT-CALCULATED |
| Battery Feed | CONSTANTCURRENT |
| Hybrid | 2-4CONVERSION |
| Number of Functions | 1 |
| PSRR-Min | 40dB |
| Temperature Grade | INDUSTRIAL |
| JESD-30 Code | S-XQCC-N64 |
| Operating Temperature-Max | 85°C |
| Operating Temperature-Min | -40°C |
| Number of Terminals | 64 |
| Package Body Material | UNSPECIFIED |
| Package Code | HVQCCN |
| Package Equivalence Code | LCC64,.35SQ,20 |
| Package Shape | SQUARE |
| Surface Mount | YES |
| Terminal Form | NOLEAD |
| Terminal Pitch | 500µm |
| Terminal Position | QUAD |
| Width | 9mm |
| Length | 9mm |
| Seated Height-Max | 1mm |
| Ihs Manufacturer | MICROCHIPTECHNOLOGYINC |
| Package Description | HVQCCN,LCC64,.35SQ,20 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| HTS Code | 8542.39.00.01 |
| 生命周期 | NotRecommended |
| 标称供电电压 | 3.3V |
| 最大噪声 | 19dBrnC |
| 电信集成电路类型 | SLIC |
| 其他特性 | SEATEDHT-CALCULATED |
| 电池馈电 | CONSTANTCURRENT |
| 混合 | 2-4CONVERSION |
| 功能数量 | 1 |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| JESD-30 代码 | S-XQCC-N64 |
| 最高工作温度 | 85°C |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 端子数量 | 64 |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | HVQCCN |
| 封装等效代码 | LCC64,.35SQ,20 |
| 封装形状 | SQUARE |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | NOLEAD |
| 端子节距 | 500µm |
| 端子位置 | QUAD |
| 宽度 | 9mm |
| 长度 | 9mm |
| 座面最大高度 | 1mm |
| 包装说明 | HVQCCN,LCC64,.35SQ,20 |
| 是否符合REACH标准 | compliant |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
在数据中心、工业自动化及新能源领域，MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，结合屏蔽栅技术，突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力，在高功率应用领域持续输出。
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| 商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
|---|---|---|---|
| SP3232EEN-L/TR | EXAR | 856 | 4.105986 |
| ISL81487EIBZ-T | RENESAS | 164 | 3.809064 |
| MAX3295AUT+T | MAXIM | 108 | 10.976000 |
| ST485EBDR | STMICROELECTRONICS | 92 | 12.593560 |
| ST3485EBDR | STMICROELECTRONICS | 35 | 9.187500 |
| ST3485ECDR | STMICROELECTRONICS | 15 | 7.271600 |
| CY8CMBR3108-LQXI | CYPRESS | 7 | 104.585600 |
| MAX3232CSE+ | MAXIM | 2 | 8.918000 |
| KSZ9031RNXIC | MICROCHIP | 1 | 89.128716 |
| ST485BDR | STMICROELECTRONICS | 1 | 11.442480 |
