在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
型号 | 品牌 | 描述 | 库存 | 包装 | 交货地(工作日) | 操作 |
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ZTX618STZ | DIODES/美台 | NPN High Gain | 0 | 2000 | 中国内地:10-12工作日 中国香港:8-10工作日 |
查看价格 |
规格参数 | |
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供应商器件封装 | E-Line(TO-92 兼容) |
封装/外壳 | E-Line-3 |
湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) |
零件状态 | 有源 |
基本零件编号 | ZTX618 |
电流 - 集电极(Ic)(最大值) | 3.5A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 20V |
功率 - 最大值 | 1W |
工作温度 | -55°C ~ 200°C(TJ) |
在线目录 | NPN Transistors |
安装类型 | 通孔 |
包装 | 散装 |
晶体管类型 | NPN |
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) | 255mV @ 50mA,3.5A |
电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA |
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) | 300 @ 200mA,2V |
频率 - 跃迁 | 140MHz |
频率 - 跃迁 | 100MHz |
生命周期 | Active |
集电极-发射极最大电压 | 20V |
最大集电极电流 (IC) | 3.5A |
极性/信道类型 | NPN |
表面贴装 | NO |
配置 | SINGLE |
端子数量 | 3 |
元件数量 | 1 |
最小直流电流增益 (hFE) | 40 |
标称过渡频率 (fT) | 140MHz |
最大功率耗散 (Abs) | 1.5W |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
JESD-30 代码 | R-PSIP-W3 |
JESD-609代码 | e3 |
认证状态 | NotQualified |
最高工作温度 | 200°C |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
端子面层 | MATTETIN |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | SINGLE |
包装说明 | IN-LINE,R-PSIP-W3 |
针数 | 3 |
是否符合REACH标准 | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
交付时间 | [objectObject] |
晶体管极性 | NPN |
晶体管安装 | 通孔 |
合规 | - |
针脚数 | 3引脚 |
MSL | - |
晶体管封装类型 | E-Line |
连续集电极电流 | 3.5A |
功率耗散 | 1W |
工作温度最高值 | 200°C |
直流电流增益hFE最小值 | 450hFE |
最大集电极发射电压 | 20V |
过渡频率 | 140MHz |
产品范围 | - |
在数据中心、工业自动化及新能源领域,MOSFET的导通损耗与动态响应直接影响系统能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,结合屏蔽栅技术,突破传统性能瓶颈。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低导通电阻与300A持续电流能力,在高功率应用领域持续输出。
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商品名称 | 品牌 | 库存 | 价格 |
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IMX9T110 | 罗姆(ROHM) | 120000 | 0.397560 |
74LVC1G3157GW | NEXPERIA | 47245 | 0.226320 |
VIPER12ASTR-E | STM | 17500 | 2.000571 |
78B08T | GRAYHILL | 8029 | 15.217410 |
STW63N65DM2 | STM | 6000 | 20.915059 |
10075025-G01-14ULF | AMPHENOL FCI | 3512 | 7.840305 |
43650-0510 | MOLEX | 1686 | 16.835973 |
STI6N95K5 | STM | 950 | 6.941916 |
74HC541PW | NEXPERIA | 166 | 1.628400 |
MKL16Z128VFT4 | FREESCALE | 1 | 28.224000 |