描述

L6384E是一种高压栅极驱动器，采用BCD “离线”技术制造，能够驱动半桥功率MOSFET或IGBT器件。高侧(浮动)部分能够工作电压轨高达600v。由于单输入配置，两个器件输出可以分别吸收650 mA和400 mA，不能同时驱动高。死时间功能保证了进一步防止输出交叉传导，用户可通过外部resi或连接到DT/SD引脚进行调节。L6384E器件有一个输入引脚，一个使能引脚(DT/SD)和两个输出引脚，并保证了低端和高端之间匹配的延迟，从而简化了器件的高频操作。逻辑输入是CMOS/TTL兼容，以方便与控制设备的接口。引导rap二极管集成在设备内，允许更紧凑和可靠的解决方案。
该L6384E具有UVLO保护和电压钳对V 电源电压(CC)。电压钳通常在15.6 V左右，这对于确保设备在V (CC)电源电压升得太慢或电压下降。
该设备可在DIP-8管和SO-8管和磁带和卷轴包装选项。