描述

L6385E是一种简单而紧凑的高压栅极驱动器，采用BCD “离线”技术制造，能够驱动功率MOSFET或IGBT器件的半桥。高侧(浮动)部分能够工作电压轨高达600v。两种器件输出分别可以独立sink和source 650ma和400ma，并可以同时驱动高，以驱动非对称半桥配置。L6385E器件提供两个输入引脚和两个输出引脚，并保证输出与输入相切换。逻辑输入是CMOS/TTL兼容，以方便与控制设备的接口。
引导rap二极管集成在设备内，允许更紧凑和可靠的解决方案。
L6385E具有UVLO保护的下和上驱动部分(V (CC)和V (BOOT))，确保更大的保护再次电压下降的供电线路。
该设备可在DIP-8管和SO-8管，以及磁带和卷轴包装选项。