描述
L6389E是一种高压栅极驱动器，采用BCD “离线”技术制造，能够驱动功率MOSFET/IGBT器件的半桥。高侧(浮动)部分能够与电压轨高达600v工作。由于集成的联锁功能，两个器件的输出可以分别吸收650 mA和400 mA，不能同时驱动高。利用死时间函数进一步防止输出交叉传导。L6389E器件有两个输入和两个输出引脚，保证输出开关与输入相位一致。逻辑输入是CMOS/TTL兼容(3.3 V, 5 V和15 V)，以方便与控制设备的接口。
引导rap二极管集成在驱动器中，可以提供更紧凑和可靠的解决方案。
该L6389E器件具有UVLO保护，在两个电源电压(V
(CC)和V
(BOOT))确保更大的保护再次电压下降的供电线路。
该设备可在一个SO-8管，磁带和卷轴包装选项。
