描述

L6393是一种采用BCD “离线”技术制造的高压器件。它是一种用于n通道功率MOSFET或IGBT的单片半桥门驱动器。高侧(浮动)部分设计为和电压轨道高达600v。
逻辑输入是CMOS/TTL兼容到3.3 V，便于微控制器/DSP接口。
IC内嵌了一个未提交的比较器，可用于过流、过温等保护。