描述

该器件为内置振荡器的高压半桥驱动器。振荡器的频率可以用外部resi或电容器编程。该装置的内部电路也可以由外部逻辑信号驱动。输出驱动器用于驱动外部n通道功率MOSFET和IGBT。内部逻辑保证了死区时间，以避免电源设备的交叉传导。
有两个版本:L6571A和L6571B。它们的内死时间不同，分别为1.25µs和0.72µs (typ)。