描述
L6591是一种针对软开关半桥拓扑的双端PWM控制器。它提供互补的PWM控制，其中高侧开关为占空比D驱动ON，低侧开关为占空比1-D，带有D <50%。在一个开关的关闭和另一个开关的开启之间插入一个外部可编程的死时间，以保证软开关和使高频操作。为了使用引导rap方法驱动高端开关，集成电路采用了一个高压浮动结构，能够使用一个同步驱动的高压DMOS来取代外部fa -recovery引导rap二极管，并具有超过600伏的电压。
IC使用户能够通过外部可编程振荡器来设置转换器的工作频率:最大占空比被t触发器数字箝位为50%，因此工作频率是振荡器的一半。
在非常轻的负载下，IC进入一种可控的bur模式运行，与内置的非耗散高压升压电路和低静态电流一起，有助于保持来自市电的低消耗，并符合节能建议。
为了在两龄功率因数校正系统中也符合这些标准，提供了一个与PFC控制器的接口，使预调节器在一个钻和下一个钻之间断开。
一种创新的自适应UVLO有助于减少与输出负载的自供电电压波动有关的问题，由于变压器的寄生。
IC保护功能包括:not-latched输入欠压(断电),冷杉层次(OCP与延迟关闭期间能够保护sy em过载和短路条件(auto-re艺术或锁模式可以选择)和第二级(OCP门闩的IC当变压器饱和物或一个次级二极管不短。最后，一个锁存的禁用功能允许容易地实现OTP或OVP。
可编程的软艺术和数字前沿落料对当前感测输入引脚完成了集成电路的设备。
