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LM4040-N 精密电压基准非常适合空间关键型 应用，可采用小型 SC70 和 SOT-23 表面贴装封装。LM4040-N 采用了先进的设计，无需使用外部稳定电容器，同时可确保任何容性负载下的稳定性，这使得 LM4040-N 非常易于使用。它还提供了 2.048V、2.5V、3V、4.096V、5V、8.192V 和 10V 的固定反向击穿电压，可帮助设计人员进一步减少设计工作。最低运行电流范围为 60µA (2.5V LM4040-N) 至 100µA (10V LM4040-N)。所有版本都具有 15mA 的最高运行电流。
LM4040-N 在晶圆筛选期间使用了保险丝和齐纳击穿反向击穿电压修整，以确保主要部件在 25°C 下的精度优于 ±0.1%（A 级）。带隙基准温漂曲率校正和低动态阻抗可确保在广泛的运行温度和电流范围内实现稳定的反向击穿电压精度。
此外，我们还提供了具有两个反向击穿电压版本的 LM4041-N：可调节电压版和 1.2V 版。请参阅 LM4041-N 产品说明书 ( SNOS641 )。
型号：LM4040/4041关键字：电源，电压参考，高精度，LM4040/LM4041简介：LM4040/LM4041是Micrel公司生产的新型微功耗高精度电压参考芯片。它具有高精度和低功耗的特点。文中介绍了LM4040/LM4041的主要特点、电气参数、内部电路和典型应用。最后给出了一
【用 途】 齐纳二极管 【性能 参数】稳压值=4.1V。
检查N/P制式电路中的Q1引脚是否虚焊。
若F1烧断，则查Q1的D—S极是否击穿。常见TH1脱焊、C2失效而使Q1击穿损坏，L1匝间打火也会造成屡损Q1故障。应急维修时，可直接用导线短路L1的①一②、③一④脚。C2可用47μF～82μF／450V电解电容代换，Q1可用6N60、2SK2645等常见N沟场效应管代换。
该TAS5412-Q1器件设计用于汽车头单位和外部放大器使用双通道数字音频放大器。它提供了两个通道，在28 W时4Ω，10％THD + N从14.4 V或46 W到2Ω，10％THD + N。
若F1烧断，则查Q1的D—S极是否击穿。常见TH1脱焊、C2失效而使Q1击穿损坏，L1匝间打火也会造成屡损Q1故障。应急维修时，可直接用导线短路L1的①一②、③一④脚。C2可用47μF～82μF／450V电解电容代换，Q1可用6N60、2SK2645等常见N沟场效应管代换。 若F1正常而T1次级无输出，则查R2、R3、R4是否正常。
驱动电路由缓冲器U、电阻R2 及1 对小功率场效应对管Q1 、Q2 组成。当控制信号为低电平时,同向缓冲器U 输出低电平,使得与+ 9 V 电源相联的P 沟道场效应管Q2 导通,与地相联的N 沟道场效应管Q3 截止,绝缘栅场效应管Q1的栅极为高电平, N 沟道绝缘栅场效应管Q1
普通P-N-P晶体管Q1，在正常情况下处于导通状态（由R5正向偏置）。由于Q1导通，从而把B+加到Q2（可控硅整流器）上。在正触发脉冲加到Q2的基极端，它处于截止状态。电容器C开始充电，当达到Q3的击穿电压时，Q1触发，从而产生正脉冲和负脉冲。正脉冲反馈到Q1的基极，使Q1截止，因而把B+电源与Q2断开。这样，Q2就恢复到静态
普通P-N-P晶体管Q1，在正常情况下处于导通状态（由R5正向偏置）。由于Q1导通，从而把B+加到Q2（可控硅整流器）上。在正触发脉冲加到Q2的基极端，它处于截止状态。电容器C开始充电，当达到Q3的击穿电压时，Q1触发，从而产生正脉冲和负脉冲。正脉冲反馈到Q1的基极，使Q1截止，因而把B+电源与Q2断开。这样，Q2就恢复到静态
查稳压环路、保护电路均无异常,查振荡反馈回路也良好.用替换法逐一替换相关元件时,发现换下Q1(K3566)后开关电源恢复正常.测Q1 G-S极漏电阻为31kΩ,Q1可用6N60、K1060、K2141等易购N沟道场效应管代换. 另外,该电源多发故障元件还有:D11-D14之一短路造成Q1击穿,R12阻值变值导致带负载能力差造成打印时无规律停机,C15开路或容量减小导致
