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LM4050-N是空间关键应用的理想选择，可用于超小型(3 mm × mm) SOT-23表面安装封装。LM4050-N的设计消除了外部稳定电容的需要，同时确保任何电容负载的稳定性，从而使LM4050-N易于使用。进一步减少设计工作量的是几种固定反向击穿电压的可用性:V、V、V、5v、V和10v。最小工作电流从60µA增加到100µA。所有版本的最大工作电流为15毫安。
LM4050-N在晶圆分类时采用了熔断器和齐纳zap反向击穿电压微调，确保主要部件在25°C下精度优于±(A级)。带隙参考温度漂移曲率校正和低动态阻抗确保稳定的反向击穿电压精度在广泛的工作温度和电流。
LM4050-N的所有等级和电压选项都可在工业温度范围(-40°C和85°C)和扩展温度范围(-40°C和125°C)。
该系列关键特性(以LM4050—2．5为例)：输
检查N/P制式电路中的Q1引脚是否虚焊。
若F1烧断，则查Q1的D—S极是否击穿。常见TH1脱焊、C2失效而使Q1击穿损坏，L1匝间打火也会造成屡损Q1故障。应急维修时，可直接用导线短路L1的①一②、③一④脚。C2可用47μF～82μF／450V电解电容代换，Q1可用6N60、2SK2645等常见N沟场效应管代换。
该TAS5412-Q1器件设计用于汽车头单位和外部放大器使用双通道数字音频放大器。它提供了两个通道，在28 W时4Ω，10％THD + N从14.4 V或46 W到2Ω，10％THD + N。
若F1烧断，则查Q1的D—S极是否击穿。常见TH1脱焊、C2失效而使Q1击穿损坏，L1匝间打火也会造成屡损Q1故障。应急维修时，可直接用导线短路L1的①一②、③一④脚。C2可用47μF～82μF／450V电解电容代换，Q1可用6N60、2SK2645等常见N沟场效应管代换。 若F1正常而T1次级无输出，则查R2、R3、R4是否正常。
驱动电路由缓冲器U、电阻R2 及1 对小功率场效应对管Q1 、Q2 组成。当控制信号为低电平时,同向缓冲器U 输出低电平,使得与+ 9 V 电源相联的P 沟道场效应管Q2 导通,与地相联的N 沟道场效应管Q3 截止,绝缘栅场效应管Q1的栅极为高电平, N 沟道绝缘栅场效应管Q1
普通P-N-P晶体管Q1，在正常情况下处于导通状态（由R5正向偏置）。由于Q1导通，从而把B+加到Q2（可控硅整流器）上。在正触发脉冲加到Q2的基极端，它处于截止状态。电容器C开始充电，当达到Q3的击穿电压时，Q1触发，从而产生正脉冲和负脉冲。正脉冲反馈到Q1的基极，使Q1截止，因而把B+电源与Q2断开。这样，Q2就恢复到静态
普通P-N-P晶体管Q1，在正常情况下处于导通状态（由R5正向偏置）。由于Q1导通，从而把B+加到Q2（可控硅整流器）上。在正触发脉冲加到Q2的基极端，它处于截止状态。电容器C开始充电，当达到Q3的击穿电压时，Q1触发，从而产生正脉冲和负脉冲。正脉冲反馈到Q1的基极，使Q1截止，因而把B+电源与Q2断开。这样，Q2就恢复到静态
查稳压环路、保护电路均无异常,查振荡反馈回路也良好.用替换法逐一替换相关元件时,发现换下Q1(K3566)后开关电源恢复正常.测Q1 G-S极漏电阻为31kΩ,Q1可用6N60、K1060、K2141等易购N沟道场效应管代换. 另外,该电源多发故障元件还有:D11-D14之一短路造成Q1击穿,R12阻值变值导致带负载能力差造成打印时无规律停机,C15开路或容量减小导致
TI 公司的CC11x1-Q1是1GHz以下的低功耗分数N UHF器件,适用于ISM频段的315 MHz, 433 MHz, 868 MHz和915 MHz,稍加编程还可用在310-MHz到348-MHzCC11x1-Q1集成了高度可配置的基带调制解调器
