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LM4132系列精密电压基准可与最好的激光修整双极基准相媲美，但采用的是低成本CMOS技术。这一突破的关键是在CMOS带隙体系结构上使用EEPROM寄存器来校正曲率、温度系数(tempco)和精度，允许封装级编程来克服装配偏移。在将模具组装成塑料封装期间，电压精度和温度的变化限制了用激光技术调整参考的精度。
不同于其他LDO参考，LM4132可以提供高达20ma，不需要输出电容或缓冲放大器。这些优点以及SOT-23封装对于空间关键应用非常重要。
串联参考比分流参考提供更低的功耗，因为它们不必在空载条件下空载最大可能的负载电流。这种优势，低静止电流(60µA)和低跌落电压(400 mV)使LM4132成为电池供电解决方案的理想选择。
LM4132有5个等级(A、B、C、D和E)以获得更大的灵活性。最佳等级的设备(A)具有指定的温度系数为10ppm /°C或更低的初始精度，而最低等级的设备(E)具有初始精度和温度系数为30ppm /°C。
美国国家半导体(nationalsemiconductor,简称“国半”)日前宣布推出一款型号为lm4132的高精度电压参考电路，并以其参考电压的准确度分为a至e5个不同级别。lm4132芯片采用cmos技术制造，据称其性能与利用激光微调的顶级双极电压参考电路相媲美
美国国家半导体(NationalSemiconductor,简称“国半”)日前宣布推出一款型号为LM4132的高精度电压参考电路，并以其参考电压的准确度分为A至E5个不同级别。LM4132芯片采用CMOS技术制造，据称其性能与利用激光微调的顶级双极电压参考电路相媲美。这款晶片采用了EEPROM寄存器，可将CMOS带隙结构的弧度、温度系数及准碓度加
美国国家半导体公司 (National SEMIconductor Corporation) (美国纽约证券交易所上市代号：NSM) 近日宣布推出一款型号为 LM4132 的高精度电压参考电路，并以其参考电压的准确度分为
