LM5102高压栅极驱动器设计为同步降压或半桥结构驱动高侧和低侧n -沟道mosfet。该浮动高侧驱动器能够在供电电压高达100 V的情况下工作。输出是独立控制的。每个输出的上升沿可以用编程电阻独立延迟。一个集成的高压二极管提供充电的高侧栅驱动bootstrap电容器。一个稳健的电平转换在高速运行的同时消耗低功率，并提供干净的电平转换从控制逻辑到高侧栅驱动器。低侧和高侧电源轨均设有欠压锁定。该器件在标准VSSOP 10引脚和wson10引脚封装中可用。