LM5104高压栅极驱动器设计为同步降压配置驱动高侧和低侧n沟道mosfet。浮动高侧驱动器可以工作在电源电压高达100v。高侧和低侧栅极驱动器由单一输入控制。状态中的每个更改都以自适应方式进行控制,以防止突发性问题。除了自适应过渡时间,可以添加一个额外的延迟时间,与外部设置电阻成比例。提供了一个集成的高压二极管来充电高边栅驱动自举电容器。一个稳健的电平转换器在高速运行的同时消耗低功率,并提供干净的电平转换从控制逻辑到高侧栅极驱动器。低侧和高侧电源轨均设有欠压锁定。该设备在标准SOIC和WSON包中可用。
LM5104高电压、具有自适应延迟功能的高桥栅极驱动器电路的基本特性:1) 高侧和低侧N沟道MOSFET驱动;2) 自适应上升和下降边沿具有可编程的额外延迟;3) 单输入控制;4) 启动程序供电电压范围高达