0
LM5107是一种低成本的高压栅极驱动器，设计用于同步降压或半桥配置驱动高侧和低侧n -沟道mosfet。浮动高侧驱动器能够在轨道电压高达100伏的情况下工作。输出是独立控制与TTL兼容的输入阈值。采用集成在芯片上的高压二极管对高侧栅驱动自举电容进行充电。稳健的电平转换技术在高速运行的同时消耗低功率，并从控制输入逻辑到高侧栅驱动器提供干净的电平转换。低侧和高侧电源轨均设有欠压锁定。该器件可在SOIC和热增强WSON封装中使用。
国家半导体公司(NationalSemicONduct，简称国半)推出能驱动同步降压或半桥配置中高边和低边N-MOSFET的高压栅极驱动器——LM5107。LM5107的输出由TTL兼容的输入阈值单独控制，并集成了高压二极管，用以向高边栅极驱动升压电容充电。强健的电平转移技术能工作在高速度而消耗低功率。
LM5107峰值半桥栅极驱动器电路的基本特性： 1) 高侧和低侧N沟道MOSFET驱动； 2) 高峰值输出电流（1.4A灌电流/1.3A拉电流）； 3) 独立的TTL兼容输入； 4) 集成的启动程序二极管
