LM5110双栅极驱动器取代了工业标准栅极驱动器，提高了最大输出电流和效率。每个“复合”输出驱动级包括并联运行的MOS和双极晶体管，它们一起从电容负载中吸收超过5A的峰值。结合MOS和双极器件的独特特性，减少了驱动电流随电压和温度的变化。独立的输入和输出地引脚提供负驱动能力，允许用户驱动MOSFET门与正负VGS电压。栅极驱动器控制输入参考一个专用输入地(IN_REF)。栅极驱动器输出从V(CC)到输出地V(EE)的摆动，相对于IN_REF可以是负的。还提供了欠压锁定保护和关机输入引脚。驱动器可以与连接到两倍驱动电流能力的输入和输出并行操作。该器件可在SOIC-8和热增强的WSON-10封装中使用。