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LM5111双栅极驱动器取代了工业标准栅极驱动器，提高了最大输出电流和效率。每个复合输出驱动级包括并联运行的MOS和双极晶体管，它们一起从电容负载中吸收超过5 a的峰值。结合MOS和双极器件的独特特性，减少了驱动电流随电压和温度的变化。还提供欠压闭锁保护。驱动器可以与连接到两倍驱动电流能力的输入和输出并行操作。该设备可在SOIC封装或热增强
MSOP-PowerPAD包。
LM5111 芯片的峰值输出电流高达 5A，比上一代的技术只能输出 2A 峰值电流优胜，而且效率也比上一代技术高。是驱动大型功率金属
型号为 LM5111 的双通道门极驱动器及型号为 LM5112 的单通道门极驱动器都采用业内最小巧的封装，而且设计非常灵活，因此是驱动大型功率金属氧化半导体场
型号为 LM5111 的双通道门极驱动器及型号为 LM5112 的单通道门极驱动器都采用业内最小巧的封装，而且设计非常灵活，因此是驱动大型功率金属氧化半导体场效应晶
