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LM5112器件MOSFET栅极驱动器在微小的6引脚WSON封装(SOT-23等效足迹)或8引脚裸露pad MSOP封装中提供了高峰值栅极驱动电流，提高了高频操作所需的功耗。复合输出驱动级包括并联运行的MOS和双极晶体管，它们一起从电容负载吸收超过7a的峰值。结合MOS和双极器件的独特特性，减少了驱动电流随电压和温度的变化。欠压锁定保护提供，以防止损坏的MOSFET由于不足的栅极匝电压。LM5112器件提供反相和非反相输入，以满足单器件类型的反相和非反相栅极驱动的要求。
【用 途】 单通道场效应管驱动器【性能 参数】 采用小型 LLP-6 封装 (3 mm x 3 mm)。是驱动大型功率金属氧化半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的理想驱动器，最适用于交流/直流与直流/直流转换器、马达驱动系统及工业控制系统。可与 LM5000 系列脉冲宽度调制控制器及 LM510x 系列半桥式驱动器组合，成为设
型号为 LM5111 的双通道门极驱动器及型号为 LM5112 的单通道门极驱动器都采用业内最小巧的封装，而且设计非常灵活，因此是驱动大型功率金属氧化半导体场
型号为 LM5111 的双通道门极驱动器及型号为 LM5112 的单通道门极驱动器都采用业内最小巧的封装，而且设计非常灵活，因此是驱动大型功率金属氧化半导体场效应晶
