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LM5113-Q1 专为同时驱动采用同步降压、升压或半桥配置的高侧和低侧增强模式氮化镓 (GaN) FET 或硅质 MOSFET 而设计，适用于汽车 应用。此器件具有一个集成于内部的 100V 自举二极管，还为高侧和低侧输出分别提供了独立的输入，可实现最大程度的灵活控制。高侧偏置电压在内部被钳位为 5.2V，可防止栅极电压超过增强模式 GaN FET 的最大栅极/源极电压额定值。器件的输入与 TTL 逻辑兼容，无论 VDD 电压多高，它都能够承受高达 14V 的输入电压。LM5113-Q1 具有分栅输出的能力，可独立灵活地调节开通和关断强度。
此外，LM5113-Q1 具有非常可靠的灌电流能力，使栅极保持低电平，从而防止开关操作期间发生误导通。LM5113-Q1 的工作频率最高可达数 MHz。LM5113-Q1 采用带有裸露焊盘的标准 10 引脚 WSON 封装，可改善功耗。
【用 途】 一般型贴片管【性能 参数】硅 NPN Rb=Rbe=470kΩ 20V 0.03A【互换 兼容】FMQ1
tlc6c598-q1 与 tlc6c5912-q1 特性与优势： 最高额定电压：tlc6c598-q1 与 tlc6c5912-q1 可在所有输出上实现高达 40v 的最高额定电压。有助于 tlc6c598-q1 为多达 8 串 led 供电，tlc6c5912-q1 为多达 12 串 led 供电，这些 led 串直接与汽车电池相连； 热关断保护：tlc6c598-q1 与 tlc6c591
接通电源，S1=1，使Q1=1，Q1=0，Q1通过R2向C2充电。当R1=1时，FF1复位，Q1=0，Q1=1，C2通过二极管VD2向Q1放电，同时1通过R1向C1充电。当充到CP1为1时，FF1翻转，使Q1=1，Q1=0，C1通过二极管VD1向1放电，Q1通过R2又向C2充电。周而复始产生振荡。
【用 途】 电源控制电路【性能 参数】 采用HTSSOP-38(DAP)封装，降压输出范围0.9V至11V，可选择升压输出：7V/10V/11V，可编程频率和外部同步范围150kHz至600kHz，分开的启动输入(ENA，ENB)，低关断电流Ish 引脚排列图：【互换 兼容】
【用 途】 【性能 参数】【互换 兼容】
EPC9102充分展示了EPC2001 eGaN FET及德州仪器LM5113 eGaN FET驱动器的组合所能达到的优异性能。
PIC74100-Q1是一款降压－升压开关模式调节器。其规定的工作温度范围为-40℃～+125℃。 同时又是一款符合汽车电子标准的DC/DC电源管理IC。
【用 途】 【性能 参数】【互换 兼容】
主要特性与优势 • 安全性设计：tpic71004-q1 是一款四通道爆管驱动器。每通道包含提供独立控制逻辑的高侧与低侧开关，可为不慎气囊部署;; 深圳市洛克里奇科技有限公司;;
【用 途】 DC/DC控制器【性能 参数】 采用HTSSOP-38(DAP)封装，降压输出范围0.9V至11V，可选择升压输出：7V/10V/11V，可编程频率和外部同步范围150kHz至600kHz，分开的启动输入(ENA，ENB)，低关断电流Ish 引脚排列图：【互换 兼
