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LM5114设计用于驱动低侧mosfet在助推型配置或驱动二次同步mosfet在隔离拓扑。LM5114具有强大的吸收电流能力，可以并行驱动多个fet。LM5114还具有驱动低侧增强模式氮化镓(GaN)场效应晶体管所需的特性。LM5114提供反相和非反相输入，以满足在单一器件类型中反相和非反相栅极驱动的要求。LM5114的输入是TTL/CMOS逻辑兼容和耐受输入电压高达14v，无论VDD电压。LM5114具有分闸输出，可以灵活地独立调节匝数和分岔强度。LM5114具有快速的切换速度和最小的传播延迟，便于高频操作。LM5114有6引脚SOT-23封装和6引脚WSON封装，带有外露的pad以帮助散热。
【用 途】 低侧栅极驱动器【性能 参数】 采用6引脚SOT-23封装或裸焊盘6引脚LLP封装，+4V至+12.6V单电源支持；可优化升降时间的独立源极与汲极输出支持更高的效率；0.23欧姆的开漏下拉汲极输出可避免无意接通；.6A/1.3A峰值汲极／源极驱动器电流可最大限度减少电压突变(DV/DT)的影响；匹配反相及
LM5114 可驱动同步整流器与功率因数转换器等低侧应用中的 GaN FET 与 MOSFET。
LM5114 可驱动同步整流器与功率因数转换器等低侧应用中的 GaN FET 与 MOSFET。
LM5114 可驱动同步整流器与功率因数转换器等低侧应用中的 GaN FET 与 MOSFET。
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