LM9061系列由电荷泵器件组成，提供栅极驱动到外部功率MOSFET的任何尺寸配置为高端驱动器或开关。这包括多重并联连接的mosfet非常高的电流应用。一个CMOS逻辑比较ON和OFF输入控制输出门驱动电压。在ON状态下，电荷泵电压远远高于可用的V(CC)电源，直接应用于MOSFET的栅极。一个内置的15 v齐纳箝位MOSFET的最大栅极到源电压。当命令OFF a 110-µa电流集落释放MOSFET的栅极电容，以实现逐渐的关断特性c，以最小化感应负载瞬态电压的硬膜接通，并进一步保护功率MOSFET。

功率MOSFET的无损保护是LM9061的一个关键特性。通过电源设备的电压降(V(DS))被共同监控，并与外部可编程的阈值电压进行比较。与负载串联的小型电流敏感电阻会造成可用能量的损失，电路上的保护不需要它。如果V(DS)电压，由于负载电流过大，超过阈值电压，输出锁存在一个可编程的延时间隔后，以更渐进的方式(通过一个10-µa输出电流sink)关闭。