LMG1205设计用于驱动高侧和低侧增强模式氮化镓(GaN)场效应管，以同步降压、升压或半桥配置。该器件有一个集成的100 v自举二极管和独立输入的高侧和低侧输出，以最大的控制灵活性。高侧偏置电压采用自举技术产生，内部钳位在5v，从而防止栅电压超过增强模式GaN场效应晶体管的最大栅源电压额定。LMG1205的输入是TTL逻辑兼容的，无论VDD电压如何，都可以承受高达14v的输入电压。LMG1205具有分栅输出，可灵活地独立调节匝数和分岔强度。

此外，LMG1205强大的吸收能力使栅极保持在低状态，防止开关期间出现意外的匝数。LMG1205可以工作到几个MHz。LMG1205采用12引脚DSBGA封装，封装封装紧凑，电感最小。