集成驱动和保护的LMG342xR050 GaN场效应晶体管使设计者在电力电子系统中实现新的功率密度和效率水平。

LMG342xR050集成了一个硅驱动程序，切换速度可达150 V/ns。与分立的硅门驱动器相比，集成的精密门偏置导致更高的开关SOA。该集成电路与我们的低电感封装相结合，在硬开关电源拓扑中提供干净的开关和最小的振铃。其他功能，包括可调的栅极驱动强度EMI控制，过温，和具有故障指示的鲁棒过流保护，提供可操作的BOM成本，板尺寸和占地面积。

先进的电源管理功能包括数字温度报告和理想的二极管模式。GaN FET的温度是通过一个可变占空比PWM输出来报告的，这使得系统能够正常管理负载。理想的二极管模式通过允许自适应控制来减少第三象限的损耗，从而使效率最大化。