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LMV358-N 和 LMV324-N 是双通道和四通道商用运算放大器 LM358 和 LM324（5V 至 30V）的低电压（2.7V 至 5.5V）版本。LMV321-N 为单通道版本。LMV321-N、LMV358-N 和 LMV324-N 是极具成本效益的解决方案， 适用于 将低工作电压、空间效率和低成本作为重要考量因素的应用场合。这些器件提供的规格符合或超过常见的 LM358 和 LM324。LMV321-N、LMV358-N 和 LMV324-N 具有轨至轨输出摆幅能力，且输入共模电压范围包括接地。这些器件均具有出色的速度功率比，能够以较低的电源电流实现 1MHz 的带宽和 1V/µs 的压摆率。
LMV321-N 采用节省空间的 5 引脚 SC70 封装，大小大约是 5 引脚 SOT23 封装的一半。采用小尺寸封装，可以节省 PCB 板空间，便于设计小巧的便携式电子设备。它还允许设计人员将器件放置在更靠近信号源的位置，从而降低噪声拾取，增强信号完整性。
这些芯片采用 先进的次微米硅栅 BiCMOS 工艺制造。LMV321-N/LMV358-N/LMV324-N 具有双极输入和输出级，可改善抗噪性能和输出电流驱动。
【用 途】 【性能 参数】【互换 兼容】
其中，双通道SGM358可替代LMV358；四通道SGM324可替代LMV324。该系列运算放大器具有低成本，低功耗，增益带宽稳定的特点。324具有以下优点：轨到轨输入/输出（LMV321/358/324仅为轨到轨输出）；低噪声：27nV/（LMV321/358/324噪声为46nV/）；微功耗：60μA/放大器（LMV321：80μA，LMV358
检查N/P制式电路中的Q1引脚是否虚焊。
若F1烧断，则查Q1的D—S极是否击穿。常见TH1脱焊、C2失效而使Q1击穿损坏，L1匝间打火也会造成屡损Q1故障。应急维修时，可直接用导线短路L1的①一②、③一④脚。C2可用47μF～82μF／450V电解电容代换，Q1可用6N60、2SK2645等常见N沟场效应管代换。
全新的LMV321(单通道)、LMV358(双通道)和LMV324(四通道)放大器在2.7V下消耗的最大供电电流为120μA，在5V下一般只消耗100μA，比同级器件的功耗少20%。LMV321、LMV358和LMV324都是引脚兼容，可直接替代国家半导体、德州仪器和Maxim的LMV3XX系列器件。这些新型CMOS放大器在5V下
该TAS5412-Q1器件设计用于汽车头单位和外部放大器使用双通道数字音频放大器。它提供了两个通道，在28 W时4Ω，10％THD + N从14.4 V或46 W到2Ω，10％THD + N。
若F1烧断，则查Q1的D—S极是否击穿。常见TH1脱焊、C2失效而使Q1击穿损坏，L1匝间打火也会造成屡损Q1故障。应急维修时，可直接用导线短路L1的①一②、③一④脚。C2可用47μF～82μF／450V电解电容代换，Q1可用6N60、2SK2645等常见N沟场效应管代换。 若F1正常而T1次级无输出，则查R2、R3、R4是否正常。
驱动电路由缓冲器U、电阻R2 及1 对小功率场效应对管Q1 、Q2 组成。当控制信号为低电平时,同向缓冲器U 输出低电平,使得与+ 9 V 电源相联的P 沟道场效应管Q2 导通,与地相联的N 沟道场效应管Q3 截止,绝缘栅场效应管Q1的栅极为高电平, N 沟道绝缘栅场效应管Q1
普通P-N-P晶体管Q1，在正常情况下处于导通状态（由R5正向偏置）。由于Q1导通，从而把B+加到Q2（可控硅整流器）上。在正触发脉冲加到Q2的基极端，它处于截止状态。电容器C开始充电，当达到Q3的击穿电压时，Q1触发，从而产生正脉冲和负脉冲。正脉冲反馈到Q1的基极，使Q1截止，因而把B+电源与Q2断开。这样，Q2就恢复到静态
普通P-N-P晶体管Q1，在正常情况下处于导通状态（由R5正向偏置）。由于Q1导通，从而把B+加到Q2（可控硅整流器）上。在正触发脉冲加到Q2的基极端，它处于截止状态。电容器C开始充电，当达到Q3的击穿电压时，Q1触发，从而产生正脉冲和负脉冲。正脉冲反馈到Q1的基极，使Q1截止，因而把B+电源与Q2断开。这样，Q2就恢复到静态
