u 宽输入电压范围： 2:1u DIP封装，体积25.4*25.4*11MMu 隔离1.5KVDCu 短路保护（自恢复）u 六面屏蔽u 功率密度高，最大功率10Wu 工作温度范围：-40℃～+85℃符合RoHS指令WRB4805MD-10W.jpg(41.64 KB, 下载次数: 0)2012-3-2 16:19:27 上传下载次数: 0小体积WRB4805MD-10W.pdf2012-3-2 1

压力单位转换表1英寸=25.4毫米1标准重力加速度：9.80665m/sec2标准海水密度（0℃，3.5%盐度）=1.02810gm/cm31mmHg=1torr1N/m2=1Pa

美国Cree表示，计划于2009～2010年开始供应直径150mm（6英寸）的SiC底板。150mm是现有使用硅底板的功率半导体量产所用尺寸，很多元器件厂商均要求供应这种口径的SiC底板。 　　据该公司称，SiC底板单位面积的初期成本方面，通过从100mm向150mm过渡，大约可以削减20～25％。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　来源：日经BP社

　　比利时IMEC日前成功地在直径150mm的硅晶圆上形成了过去只能在直径100mm以下硅晶圆上形成的GaN类高速晶体管。由于150mm的直径是在产业用途中广泛使用的尺寸，因此“将可能有助于降低GaN类晶体管的生产成本”（GaN类元件研究人员）。　　利用硅取代价格昂贵的蓝宝石底板和SiC底板　　IMEC在直径150mm硅晶圆上形成的是应用于高频通信设备功率放大器等领域的Al

Rubicon在2007年开始向Peregrine供应150mm蓝宝石晶圆，用于UltraCMOS SOS RFICs的生产。Peregrine公司CEO Peregrine’s CEO表示，Rubicon提供的150mm晶圆，保证

SN74HC688 8位等值比较器电路的基本特性：1) 宽电压操作范围为2~6V；2) 高电流输出驱动高达10个LSTT负载；3) 低功耗，Icc最大值为80μA；4) 典型tpd为14ns；5) 在5V

技术参数试料容器（上口径×下口径×深度） φ160mm×φ150mm×150mm最大贯入力 1000N贯入深度 25mm贯入速度 2.5mm