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LT 1160/LT1162 是成本效益型半桥式/全桥式 N 沟道功率MOSFET 驱动器。浮动驱动器能够采用一个高达 60V 的高电压 (HV) 轨作为工作电源，以驱动顶端 N 沟道功率MOSFET。

内部逻辑电路可防止输入同时接通半桥中的功率 MOSFET。其针对贯通电流的独特自适应保护电路取消了对两个MOSFET 的全部匹配要求。这极大地简化了高效率电机控制和开关稳压器系统的设计。

在低供电电压或启动条件下，欠压闭锁电路将主动地把驱动器输出拉至低电平，以防止功率 MOSFET 被部分接通。由于具有 0.5V 迟滞，因此即使在电源电压缓慢变化的情况下也能实现可靠的操作。

LT1162 是 LT1160 的双通道版本，采用 24 引脚P DIP 或24 引脚 SO 宽体封装。

• 高电流电感性负载的PWM
• 半桥式和全桥式电机控制
• 同步降压型开关稳压器
• 三相无刷电机驱动
• 高电流换能器驱动器
• D 类功率放大器