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LT 1910 是一款高端栅极驱动器，它允许采用低成本 N 沟道功率 MOSFET 来满足高端开关应用的需要。该器件包含一个完全独立的充电泵，用于在不使用外部元件的情况下全面强化一个 N 沟道 MOSFET 开关。
当内部漏极比较器检测到开关电流超过了预设水平时，开关被关断并确定一个故障标记。开关将在由一个外部定时电容器设定的一段时间里保持关断状态，随后自动尝试再起动。如果故障仍然存在，则该循环将重复进行，直到故障被清除为止，从而起到保护 MOSFET 的作用。一旦开关成功地再起动，则故障标记将不出现。
LT1910 专为那些有可能存在不良电源调节和 / 或瞬变的严酷工作环境而设计，例如：工业、航空电子和汽车应用。-15V 至 60V 的电源瞬变将不会对该器件造成损坏。
LT1910 采用 SO-8 封装。
【用 途】 受保护的高端MOSFET驱动器【性能 参数】 采用SO-8封装。是一种电荷泵驱动器，用于控制在电源电压为8～48V下工作的负载的NMOS高压侧开关。当*开关漏极电流的外部检测电阻器两端的电压降超过50～80mV时，该驱动器就切断栅极驱动电流。所选择的检测电阻器阻值以及与这种采用SO-8封装的栅极
LT1910 是一款高端栅极驱动器，它允许采用低成本 N 沟道功率 MOSFET 来满足高端开关应用的需要。
