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LTC 1154 单通道高压侧栅极驱动器允许在高压侧开关应用中使用低成本的 N 沟道 FET。一个内部充电泵把栅极驱动电压提升至正电源轨以上，从而在未使用任何外部元件的情况下全面地强化了一个 N 沟道 MOS 开关。微功率操作 (待机电流为 8μA，工作电流为 85μA) 使其在几乎所有系统中使用时都能够实现较高的效率。
在该芯片上集成了可编程过流检测电路。可以增加一个延时，以防止在高浪涌电流负载上引起误触发。还提供了一个高态有效停机输入，并与一个标准的 PTC 热敏电阻直接相连，以实现热停机功能。提供了一个漏极开路输出，用于向 μP (微处理器) 报告开关状态。提供了一个低态有效使能输入，以控制编排成组的多个开关。
LTC1154 采用 8 引脚 DIP 和 8 引脚 SOIC 封装。
【用 途】 高压侧微功率MOSFET驱动器【性能 参数】 采用8引脚SOIC封装和8引脚PDIP封装。 特点： 全面强化了N沟道功率MOSFET &nbs
一个凌特科技的LTC1154被用作电荷泵，从而来驱动一个高压侧功率MOSFET的栅极。
高压MOSFET驱动器电路的LTC1154被用作电荷泵，从而来驱动一个高压侧功率MOSFET的栅极。高压MOSFET驱动器电路:
