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LTC 1255 双通道高压侧驱动器允许在高压侧工业和汽车开关应用中使用低成本的 N 沟道 FET。一个内部充电泵把栅极驱动电压提升至高于正电源轨，从而在未使用任何外部组件的情况下全面地强化了一个 N 沟道 MOS 开关。低功率操作 (具有 12μA 待用电流) 使其在几乎所有系统中使用时都能够实现较高的效率。
在该芯片内集成了独立的过流检测功能电路，以在发生短路的情况下提供自动停机。可以给电流检测增添一个延时，以防止在高浪涌电流负载上引起误触发。
LTC1255 采用 9V 至 24V 电源供电工作，而且非常适合工业和汽车应用。
LTC1255 可提供 8 引脚 DIP 封装和 8 引脚 SOIC 封装。
