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LTC 4353 可控制外部 N 沟道 MOSFET 以实现理想二极管功能。该器件可替代两个高功率肖特基二极管及相关联的散热器，从而节省了功率和占板面积。理想二极管功能可实现低损耗电源“或”及电源保持应用。
LTC4353 可调节 MOSFET 两端的正向电压降，以确保二极管“或”应用中的平滑电流转换。快速接通减小了电源切换期间的负载电压降。如果输入电源发生故障或短路，则快速关断可较大限度地抑制反向电流瞬变。
该控制器可在 2.9V 至 18V 的电源范围内运作。倘若两个电源均低于 2.9V，则需要在 V(CC) 引脚上连接一个外部电源。使能输入可用于关断 MOSFET 以及把控制器置于一种低电流状态。状态输出负责指示 MOSFET 是处于导通还是关断状态。
【用 途】 双通道理想二极管控制器【性能 参数】 采用16引脚MSOP和DFN封装，0V至18V电源“或”或电源保持，1us接通和断开时间，使能输入，MOSFET接通状态输出，多电源或电源保持应用中肖特基功率二极管的低损耗替代方案，控制外部N沟道MOSFET以实现大电流的能力。
加利福尼亚州米尔皮塔斯 (MILPITAS, CA) – 2012 年 6 月 15 日– 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 0V 至 18V 双通道理想二极管控制器 LTC4353LTC4353 调节外部 N 沟道MOSFET的正向压降，以
加利福尼亚州米尔皮塔斯 (MILPITAS, CA) – 2012 年 6 月 15 日 – 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 0V 至 18V 双通道理想二极管控制器 LTC4353LTC4353 调节外部 N 沟道 MOSFET 的正向压降，以在二极管“
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 0V 至 18V 双通道理想二极管控制器 LTC4353，该器件可取代两个大功率肖特基二极管，以低损耗实现多个电源 “LTC4353 调节外部 N 沟道 MOSFET 的正向压降，以在二极管“或”应用中确保电源之间的平滑转换。在低压系统中，当电源切换时，控制器之间的慢速切换导致电压下降
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 0V 至 18V 双通道理想二极管控制器 LTC4353，该器件可取代两个大功率肖特基二极管，以低损耗实现多个电源LTC4353 调节外部 N 沟道 MOSFET 的正向压降，以在二极管或”应用中确保电源之间的平滑转换。在低压系统
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 0V 至 18V 双通道理想二极管控制器 LTC4353，该器件可取代两个大功率肖特基二极管，以低损耗实现多个电源 “LTC4353 调节外部 N 沟道 MOSFET 的正向压降，以在二极管“或”应用中确保电源之间的平滑转换。在低压系统中，当电源切换时，控制器之间的慢速切换导致电压下降
性能概要：ltc4353·多电源或电源保持应用中肖特基功率二极管的低损耗替代方案·控制外部 n 沟道 mosfet 以实现大电流的能力·0v 至 18v 电源“或”或电源保持·1µs 接通和断开时间
LTC4353调节横跨正向压降MOSFET在二极管或应用程序，以确保平稳的电
LTC4353 调节外部N 沟道MOSFET 的正向压降，以在二极管或”应用中确保电源之间的平滑转换。在低压系统中，当电源切换时，控制器
