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LTC4357

正高电压理想二极管控制器

LTC4357产品信息:

概览

优势和特点

  • 通过采用一个 N 沟道 MOSFET 替代一个功率肖特基二极管来降低功耗
  • 0.5μs 关断时间限制峰值故障电流
  • 宽工作电压范围:9V 至 80V
  • 无振荡现象的平滑切换
  • 无反向 DC 电流
  • 采用 6 引脚 (2mm x 3mm) DFN 和 8 引脚 MSOP 封装

产品详情

LTC 4357 是一款正高电压理想二极管控制器,用于驱动一个外部 N 沟道 MOSFET 以取代一个肖特基二极管。当在二极管“或”和高电流二极管应用中使用时,LTC4357 能够降低功耗、热耗散、电压损失并缩减 PC 板面积。

LTC4357 能够很容易地对电源进行“或”操作,以提高总体系统可靠性。在二极管“或”应用中,LTC4357 用于控制 MOSFET 两端的正向电压降,以确保从一条路径至另一条路径的平滑电流转移而没有振荡现象。在电源发生故障或短路的情况下,快速关断操作可较大限度地减小反向电流瞬变。


应用

  • N+1 冗余电源
  • 高可用性系统
  • AdvancedTCA 系统
  • 电信基础设施
  • 汽车系统

LTC4357数据手册:

LTC4357引脚功能、电路图:

LTC4357

【用 途】 正高电压理想二极管控制器【性能 参数】 采用6引脚(2mmx3mm)DFN和8引脚MSOP封装。 特点: 通过采用一个N沟道MOSFET替代一个功率肖特基二极管来降低功耗 0.5μs关断时间限制

凌力尔特二极管“或”控制器实现更高效率和无振荡的平滑电压切换

凌力尔特公司(LinearTechnologyCorporation)推出单片高电压理想二极管“或”控制器LTC4357,该器件在多重N+1冗余电源应用和高可用性系统中为肖特基“或”二极管提供了一个简单的低损耗替代方案LTC4357控制一个外部N沟道MOSFET以执行低正向电压二极管功能。LTC4357控制MO

凌力尔特推出单片高电压理想二极管“或

凌力尔特公司(LinearTechnologyCorporation)推出单片高电压理想二极管“或”控制器LTC4357,该器件在多重N+1冗余电源应用和高可用性系统中为肖特基“或”二极管提供了一个简单的低损耗替代方案LTC4357控制一个外部N沟道MOSFET以执行低正向电压二极管功能。LTC4357

凌力尔特“或”控制器实现高效率平滑电压切换

凌力尔特公司(LinearTechnologyCorporation)推出单片高电压理想二极管“或”控制器LTC4357,该器件在多重N+1冗余电源应用和高可用性系统中为肖特基“或”二极管提供了一个简单的低损耗替代方案LTC4357控制一个外部N沟道MOSFET以执行低正向电压二极管功能。LTC4357控制MOSF

凌力尔特“或”控制器可实现无振荡平滑电压切换

凌力尔特公司(LinearTechnologyCorporation)推出单片高电压理想二极管“或”控制器LTC4357,该器件在多重N+1冗余电源|稳压器应用和高可用性系统中为肖特基“或”二极管提供了一个简单的低损耗替代方案LTC4357控制一个外部N沟道MOSFET以执行低正向电压二极管功能。LTC4357

凌力尔特二极管“或”控制器实现更高效率

凌力尔特公司(LinearTechnologyCorporation)推出单片高电压理想二极管“或”控制器LTC4357,该器件在多重N+1冗余电源应用和高可用性系统中为肖特基“或”二极管提供了一个简单的低损耗替代方案LTC4357控制一个外部N沟道MOSFET以执行低正向电压二极管功能。LTC4357

凌力尔特“或”控制器实现高效率平滑电压

凌力尔特公司(LinearTechnologyCorporation)推出单片高电压理想二极管“或”控制器LTC4357,该器件在多重N+1冗余电源应用和高可用性系统中为肖特基“或”二极管提供了一个简单的低损耗替代方案LTC4357控制一个外部N沟道MOSFET以执行低正向电压二极管功能。LTC4357控制

凌力尔特“或”控制器可实现无振荡平滑电

凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出单片高电压理想二极管“或”控制器LTC4357,该器件在多重N+1冗余电源应用和高可用性系统中为肖特基“或”二极管提供了一个简单的低损耗替代方案LTC4357控制一个外部N沟道MOSFET以执行低正向电压二极管功能。LTC4357

凌力尔特推出单片高电压理想二极管“或”控制器 LTC4357

凌力尔特公司(LinearTechnologyCorporation)推出单片高电压理想二极管“或”控制器LTC4357,该器件在多重N+1冗余电源应用和高可用性系统中为肖特基“或”二极管提供了一个简单的低损耗替代方案LTC4357控制一个外部N沟道MOSFET以执行低正向电压二极管功能。LTC4357控制MO

Linear 推出单片二极管“或”控制器

凌力尔特公司(LinearTechnologyCorporation)推出单片高电压理想二极管“或”控制器LTC4357,该器件在多重N+1冗余电源应用和高可用性系统中为肖特基“或”二极管提供了一个简单的低损耗替代方案LTC4357控制一个外部N沟道MOSFET以执行低正向电压二极管功能。LTC4357控制MO

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