【用　途】 单个高压理想二极管控制器【性能 参数】 采用16引线TSSOP&4mmx3mm14引脚DFN封装，工作电压范围：9V至26.5V，特点： 1、替代电源肖特基二极管 2、内部20mΩN沟道

LTC4358描述LTC®4358是一款5A理想二极管，当在二极管“或”和高电流二极管应用中使用时，该器件采用一个内部20mΩN沟道MOSFET来替代一个肖特基二极管。LTC4358降低了功耗、减少了热耗散，并压缩了PC板面积。LTC4358可以很容易地把电源“或”连接在一起，以提高整体系统可靠性。在二极管“或”应用中，LTC4358负责调节内部MOSFET两端的正向电压降，以确保从一条通路至另一条通路的无振荡平滑电流转换。如果电源发生故障或短路，

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凌力尔特公司(Linear) 推出单个高压理想二极管控制器 LTC4358，该器件采用一个内部 5A MOSFET，以在大电流应用中为肖特基二极管提供一个简单、低损耗的替代品。LTC4358 调节内部 MOSFET上的正向压降，以确保

凌力尔特公司(LinearTechnologyCorporation)推出单个高压理想二极管控制器LTC4358，该器件采用一个内部5AMOSFET，以在大电流应用中为肖特基二极管提供一个简单、低损耗的替代品LTC4358调节内部MOSFET上的正向压降，

凌力尔特公司Linear推出单个高压理想二极管控制器LTC4358加利福尼亚州米尔皮塔斯(MILPITAS,CA)–2008年7月30日–凌力尔特公司(LinearTechnologyCorporation)推出单个高压理想二极管控制器LTC4358，该器件采用一个内部5AMOSFET，以在大电流应用中为肖特基二极管提供一个简单、低损耗的替代品。

凌力尔特公司(LinearTechnologyCorporation)推出单个高压理想二极管控制器LTC4358，该器件采用一个内部5AMOSFET，以在大电流应用中为肖特基二极管提供一个简单、低损耗的替代品