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LTC 4364 浪涌抑制器具有理想二极管控制器，可保护负载免遭高电压瞬变的损坏。通过控制一个外部 N 沟道 MOSFET 传输器件两端的电压降，该器件可在过压过程 (例如：汽车中的负载突降) 中限制和调节输出。另外，LTC4364 还包括一个定时的电流限制电路断路器。在故障情况下，一个可调故障定时器必须在传输器件关断之前结束。LTC4364-1 将锁断传输器件，而 LTC4364-2 则在一个延迟之后自动重新起动。LTC4364 可精确地监视输入电源的过压 (OV) 和欠压 (UV) 情况。外部 MOSFET 在欠压状况下保持关断，自动重试在过压状态下停用。
一个集成型理想二极管控制器负责驱动第二个 MOSFET，以替代一个用于实现反向输出保护和输出电压保持的肖特基二极管。LTC4364 可控制 MOSFET 两端的正向电压降，并较大限度地抑制电源故障、欠压或输入短路时的反向电流瞬变。
【用 途】 浪涌电流抑制器【性能 参数】 采用14引脚DFN以及16引线MSOP和SO封装，宽工作电压范围：4V至80V，利用VCC箝位可承受超过80V的浪涌，可调输出箝位电压，理想二极管控制器可在输入欠压期间保持输出电压，反向输入保护至-40V，反向输出保护至-20V，过流保护,输出端口保护，在12V时提供10?A的低停机电流，
LTC4364的宽工作电压范围保持在汽车冷车发动时的操作，当电池电压可以蘸到4V。用一个简单的输入钳位，该设备可以处理超过100V的瞬态浪涌，甚至可以生存在输出-20V。后者与阻断二极管和过流限制，使得LTC4364完整的解决方案，为保护输出端口。可调输入欠压和过压阈值块
加利福尼亚州米尔皮塔斯 (MILPITAS, CA) – 2012 年 7 月 24 日 – 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出具备理想二极管的浪涌电流抑制器 LTC4364
加利福尼亚州米尔皮塔斯 (MILPITAS, CA) – 2012 年 7 月 24 日– 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出具备理想二极管的浪涌电流抑制器 LTC4364
LTC4364 的独特之处是理想二极管控制，其利用一个低损耗N 沟道MOS
