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LTC 4380 低静态电流浪涌抑制器可保护负载免遭高压瞬变的损坏。它能够通过对一个外部 N 沟道 MOSFET 的栅极电压进行箝位，以在过压过程中 (例如：汽车应用中的抛负载情况) 把输出电压限制在一个安全数值，从而提供过压保护。固定的栅极箝位电压可针对 12V 和 24V / 28V 系统进行选择。对于任何电压高达 72V 的系统，则使用可调栅极箝位版本。该器件还提供了过流保护功能。
一个内部乘法器产生一个与 V(DS) 和 I(D) 成比例的 TMR 引脚电流，这样可根据 MOSFET 应力对过流和过压情况下的工作时间加以限制。
GATE 引脚能够驱动背对背 MOSFET 以提供反向输入保护功能，从而免除了采用肖特基二极管解决方案时的电压降和功率耗散。低的 8μA 工作电流允许该器件在始终保持接通和电池供电型应用中使用。一个准确的 ON 引脚比较器负责监视输入电源的欠压 (UV) 情况，而且还充当一个停机输入，从而把静态电流减小至 6μA。
凌力尔特公司(LinearTechnologyCorporation)推出超低静态电流(IQ)浪涌抑制器LTC4380，可为汽车、工业和航空电子系统中始终保持接通的4V至72V电子组件提供紧凑的过压和过流保护LTC4380利用一个简单的IC和串联N沟道MOSFET解决方案取代了由庞大笨重的电感器、电容器、瞬态电压抑制器(TVS)和熔丝构成的传统分流电路，从而节省了电路板空间，并在瞬态电压或电
Linear推出超低静态电流 (IQ) 浪涌抑制器 LTC4380， 可为汽车、工业和航空电子系统中始终保持接通的 4V 至 72V 电子组件提供紧凑的过压和过流保护。LTC4380 利用一个简单的 IC 和串联 N 沟道 MOSFET 解决方案取代了由庞大笨重的电感器、电容器、瞬态电压抑制器 (TVS) 和熔丝构成的传统分流电路，从而节省了电路板空间，并在瞬态电压或电流浪涌过程中实现连续运作
