提供低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流能力。

Nexperia的肖特基整流器在高速开关应用中具有低Qrr和良好平衡的VF/IR权衡

提供一个塑料，无铅，极薄的小轮廓包装与侧可湿侧翼(SWF)。

±5%串联公差，总功耗≤300mW。

两个平面肖特基势垒双二极管，具有共同阴极和集成保护环。

Nexperia 1200 V SiC mosfet适用于电动汽车充电基础设施和光伏逆变器。

内置接口SIM卡与单一低压主机端接口。

一个80V，标准电平栅极驱动MOSFET，具有低Qrr，更高的效率和更低的尖峰。

Nexperia PIMP32 PNP/PNP双晶体管是配备电阻器的双晶体管 (RET )，具有500mA输出电流能力。这些双晶体管具有内置偏置电阻器，其中R1为2.2kΩ，R2为10kΩ。PIMP32双晶体管采用小型SOT457 (SC-74) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

Nexperia的电池寿命提升集成电路具有自适应功率优化，旨在延长典型的锂硬币电池的寿命。

包含在一个塑料，表面安装，三个端子，1.9mm间距，2.9mm x 1.3mm x 1mm封装。

可以方便地评估NEH2000BY能量收集PMIC，一种高性能芯片。

该模拟开关适用于模拟或数字4:1多路复用/解路复用应用。

外形小巧，减少了约75%的电路板空间，并允许更多的设计灵活性。