专为安派瑞负载开关系列设计的专用pcb。

Nexperia PXP0 p通道沟槽MOSFET是利用沟槽MOSFET技术的增强模式场效应晶体管(fet)。

在标准的7针TO-263塑料封装中提供卓越的RDSon温度稳定性。

提供具有低电感/开关损耗和高可靠性的铜夹封装技术。

Nexperia NEH2000BYJ能量收集PMIC是一款适用于低功耗应用的高性能能量收集解决方案。

该模拟开关适用于模拟或数字4:1多路复用/解路复用应用。

外形小巧，减少了约75%的电路板空间，并允许更多的设计灵活性。

Nexperia PXP010-20QX p通道沟槽MOSFET是一款-20V V(DS)， p通道增强模式场效应晶体管(FET)。

通过夹接技术提供非常低的正向电压和高功率能力。

安派瑞的NPS40负载开关专为各种工业、消费、计算和汽车应用而设计。

Nexperia的RETs简化了电路设计，减少了组件数量

Nexperia BZX58550-Q低电流稳压二极管设计具有±5%的串联公差，提供≤300mW的总功耗。

小电流AEC-Q101合格的电压调整二极管在一个微小的SOD882BD (DFN1006BD-2)封装。

Nexperia NEVB21-USBC1UL USB Type-C ESD评估板旨在演示USB Type-C端口的小型化ESD保护。

Nexperia MMBZ16VZ瞬态电压抑制(TVS)二极管设计用于保护线路免受瞬态过电压造成的损坏。这些二极管工作在13V反向隔离电压(V(RWM))， 36V低夹紧电压(V(CL))在7A I(PP)，和I(RM)小于1nA的超低泄漏电流。