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三星3nm晶圆全球首秀,将抢先台积电量产

来源:芯智讯 发布时间:2022-05-23

摘要: 5月23日消息,三星曾在去年10月的“Samsung Foundry Forum 2021”论坛活动上,宣布将于2022年上半年领先台积电量产3nm制程。近日,在美国总统拜登参观三星平泽晶圆厂之时,三星首次公开展示了其3nm工艺制造的12英寸晶圆。按计划,三星将在今年Q2季度量产,比台积电还要早一些。

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5月23日消息,三星曾在去年10月的“Samsung Foundry Forum 2021”论坛活动上,宣布将于2022年上半年领先台积电量产3nm制程。近日,在美国总统拜登参观三星平泽晶圆厂之时,三星首次公开展示了其3nm工艺制造的12英寸晶圆。按计划,三星将在今年Q2季度量产,比台积电还要早一些。

对三星来说,3nm节点是他们押注芯片制程工艺赶超台积电的关键,因为台积电的3nm工艺不会上下一代的GAA(全环绕栅极)晶体管技术,三星的3nm节点则抢先启用GAA技术,这是一种新型的环绕栅极晶体管,通过使用纳米片设备制造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET,多桥-通道场效应管),该技术可以显著增强晶体管性能,主要取代FinFET晶体管技术。

根据三星的说法,与7nm制造工艺相比,3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了45%以上,功耗降低了50%,性能提高了约35%,纸面参数上来说却是要优于台积电3nm FinFET工艺。

根据三星之前的规划,其3nm GAA工艺将在2022年Q2季度量产。不过,根据之前韩国媒体的爆料显示,三星4nm制程良率仅35%,3nm GAA 制程良率刚达10%~20%。这也意味着其真正商用量产的时间可能会推迟。高通此前已经因为三星4nm良率问题将骁龙8+交给了台积电4nm代工,因此高通下一代旗舰芯片可能不会率先采用三星3nm工艺,更为可能是三星自家的Exynos处理率先“趟雷”。

编辑:芯智讯-林子


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