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Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 800V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, 3 PIN
| 生命周期 | Obsolete |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-G3 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 风险等级 | 5.71 |
| 雪崩能效等级（Eas） | 1210 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 800 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 13 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.75 欧姆 |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-G3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值 | 310 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 52 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| Base Number Matches | 1 |
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