EDO DRAM, 256KX16, 35ns, CMOS, PDSO40, TSOP2-44/40
是否Rohs认证 | 符合 |
生命周期 | Obsolete |
IHS 制造商 | AMIC TECHNOLOGY CORP |
包装说明 | TSOP2, TSOP40/44,.46,32 |
Reach Compliance Code | unknown |
风险等级 | 5.84 |
Is Samacsys | N |
访问模式 | FAST PAGE |
最长访问时间 | 35 ns |
其他特性 | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G40 |
长度 | 18.41 mm |
内存密度 | 4194304 bit |
内存集成电路类型 | EDO DRAM |
内存宽度 | 16 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
端子数量 | 40 |
字数 | 262144 words |
字数代码 | 256000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 256KX16 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TSOP2 |
封装等效代码 | TSOP40/44,.46,32 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
电源 | 3.3 V |
认证状态 | Not Qualified |
刷新周期 | 512 |
座面最大高度 | 1.2 mm |
自我刷新 | YES |
最大待机电流 | 0.0015 A |
子类别 | DRAMs |
最大压摆率 | 0.105 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 0.8 mm |
端子位置 | DUAL |
宽度 | 10.16 mm |
Base Number Matches | 1 |
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