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4M X 4 CMOS DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
与EDO页模式4M X 4 CMOS动态RAM
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 生命周期 | Obsolete |
| 包装说明 | TSOP2, TSOP24/26,.36 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 风险等级 | 5.92 |
| 访问模式 | FAST PAGE |
| 最长访问时间 | 60 ns |
| 其他特性 | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G24 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 17.14 mm |
| 内存密度 | 16777216 bit |
| 内存集成电路类型 | EDO DRAM |
| 内存宽度 | 4 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 24 |
| 字数 | 4194304 words |
| 字数代码 | 4000000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 4MX4 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TSOP2 |
| 封装等效代码 | TSOP24/26,.36 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 电源 | 2.5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 刷新周期 | 2048 |
| 座面最大高度 | 1.2 mm |
| 自我刷新 | YES |
| 最大待机电流 | 0.0005 A |
| 子类别 | DRAMs |
| 最大压摆率 | 0.065 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 2.75 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.25 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 宽度 | 7.62 mm |
| Base Number Matches | 1 |
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