2K-Bit Microwire Serial EEPROM
2K位Microwire串行EEPROM
是否Rohs认证 | 不符合 |
生命周期 | Transferred |
IHS 制造商 | CATALYST SEMICONDUCTOR INC |
零件包装代码 | SOIC |
包装说明 | TSSOP, TSSOP8,.25 |
针数 | 8 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8542.32.00.51 |
风险等级 | 5.01 |
Is Samacsys | N |
其他特性 | 1000000 PROGRAM/ERASE CYCLES; 100 YEAR DATA RETENTION |
备用内存宽度 | 8 |
最大时钟频率 (fCLK) | 0.5 MHz |
数据保留时间-最小值 | 100 |
耐久性 | 1000000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 4.4 mm |
内存密度 | 2048 bit |
内存集成电路类型 | EEPROM |
内存宽度 | 16 |
湿度敏感等级 | 1 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 8 |
字数 | 128 words |
字数代码 | 128 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 128X16 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TSSOP |
封装等效代码 | TSSOP8,.25 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
并行/串行 | SERIAL |
峰值回流温度(摄氏度) | 240 |
电源 | 3/5 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.1 mm |
串行总线类型 | MICROWIRE |
最大待机电流 | 0.00001 A |
子类别 | EEPROMs |
最大压摆率 | 0.003 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | AUTOMOTIVE |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 0.65 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
宽度 | 3 mm |
写保护 | SOFTWARE |
Base Number Matches | 1 |
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