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EEPROM, 128KX16, Serial, CMOS, PDSO8, TSSOP-8
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 生命周期 | Transferred |
| IHS 制造商 | CATALYST SEMICONDUCTOR INC |
| 零件包装代码 | SOIC |
| 包装说明 | TSSOP, |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | 3A991.B.1.B.1 |
| HTS代码 | 8542.32.00.51 |
| 风险等级 | 5.12 |
| 备用内存宽度 | 8 |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 0.25 MHz |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 4.4 mm |
| 内存密度 | 2097152 bit |
| 内存集成电路类型 | EEPROM |
| 内存宽度 | 16 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 字数 | 131072 words |
| 字数代码 | 128000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 128KX16 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TSSOP |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
| 并行/串行 | SERIAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 240 |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.2 mm |
| 串行总线类型 | MICROWIRE |
| 最大供电电压 (Vsup) | 6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 0.65 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 宽度 | 3 mm |
| Base Number Matches | 1 |
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