TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
作者PNP外延平面型晶体管技术规格
是否Rohs认证 | 不符合 |
生命周期 | Obsolete |
IHS 制造商 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
零件包装代码 | SFM |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8541.29.00.95 |
风险等级 | 5.06 |
最大集电极电流 (IC) | 3 A |
集电极-发射极最大电压 | 40 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 10 |
JEDEC-95代码 | TO-220AB |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | PNP |
最大功率耗散 (Abs) | 40 W |
认证状态 | Not Qualified |
子类别 | Other Transistors |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 3 MHz |
Base Number Matches | 1 |
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