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TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER
单相硅桥式整流器技术规格
| 生命周期 | Active |
| 包装说明 | O-PBCY-W4 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 风险等级 | 5.59 |
| 最小击穿电压 | 800 V |
| 配置 | BRIDGE, 4 ELEMENTS |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 二极管类型 | BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码 | O-PBCY-W4 |
| 最大非重复峰值正向电流 | 50 A |
| 元件数量 | 4 |
| 相数 | 1 |
| 端子数量 | 4 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大输出电流 | 1.5 A |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL |
| 最大重复峰值反向电压 | 800 V |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | WIRE |
| 端子位置 | BOTTOM |
| Base Number Matches | 1 |
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