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20V LOW VCE(SAT ) PNP SURFACE MOUNTED TRANSISTOR
20V低VCE （ SAT） PNP表层嵌晶体管
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 生命周期 | Active |
| IHS 制造商 | DIODES INC |
| 零件包装代码 | DFN |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-N3 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 15 weeks |
| 风险等级 | 1.75 |
| Is Samacsys | N |
| 其他特性 | HIGH RELIABLITY |
| 外壳连接 | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC) | 1.25 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 20 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 140 |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-N3 |
| JESD-609代码 | e4 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 极性/信道类型 | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs) | 1 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 子类别 | Other Transistors |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 200 MHz |
| 最大关闭时间（toff） | 167 ns |
| 最大开启时间（吨） | 60 ns |
| Base Number Matches | 1 |
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