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AH266K-PG-B-B

AH266K-PG-B-B 规格参数_Datasheet数据手册

型号:AH266K-PG-B-B
品牌:DIODES/美台

HIGH VOLTAGE HALL EFFECT LATCH
高压霍尔效应锁存

型号参数:AH266K-PG-B-B参数
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
生命周期Active
IHS 制造商DIODES INC
包装说明SIP4,.03,50
Reach Compliance Codecompliant
Factory Lead Time18 weeks
风险等级5.67
主体宽度1.55 mm
主体高度3.65 mm
主体长度或直径5.22 mm
滞后8 mT
JESD-609代码e3
最大磁场范围10 mT
最小磁场范围-10 mT
安装特点THROUGH HOLE MOUNT
端子数量4
最大工作电流10 mA
最高工作温度85 °C
最低工作温度-20 °C
输出OPEN-COLLECTOR
最大输出电流400 mA
输出极性COMPLEMENTARY
输出类型ANALOG VOLTAGE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装等效代码SIP4,.03,50
封装形状/形式RECTANGULAR
电源24 V
传感器/换能器类型MAGNETIC FIELD SENSOR,HALL EFFECT
子类别Other Sensors
最大供电电压28 V
最小供电电压4 V
表面贴装NO
技术BIPOLAR
端子面层Matte Tin (Sn)
端接类型SOLDER
Base Number Matches1
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