电子元器件产业互联网平台
电子元器件产业互联网平台
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
P沟道增强型MOSFET
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 生命周期 | Obsolete |
| IHS 制造商 | DIODES INC |
| 零件包装代码 | SOIC |
| 包装说明 | HVSON, |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| HTS代码 | 8542.39.00.01 |
| 风险等级 | 7.92 |
| 高边驱动器 | NO |
| 接口集成电路类型 | BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-N8 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 长度 | 6 mm |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | HVSON |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1 mm |
| 表面贴装 | YES |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 5.1 mm |
| Base Number Matches | 1 |
Copyright 2010-2023 hqbuy.com,Inc.All right reserved. 服务热线：400-830-6691 粤ICP备05106676号 经营许可证：粤B2-20210308
